S-23 : SiC의 생성없이 SiO2가 1000℃에서 탄소에 의해 환원될지 안될지를 판단하시오?
※ 데이타
<SiO2> = <Si> + (O2) △G˚ = 215600 - 41.5*T [Cal] (1)
<Si> + <C> = <SiC> △G˚ = -14000 - 1.3*T*logT +5.68 [Cal] (2)
2(CO) + (O2) = 2(CO2) △G˚ = -135000 + 41.5*T [Cal] (3)
2(CO) = (CO2) + <C> △G˚ = 40800 - 41.7*T [Cal] (4)
풀이)
1273K(1000℃)에서 (1)식에서 △G˚는
△G˚ = 215600 - 41.5*1273
= 162700 Cal
= RTlnPO2
logPO2 = - ((162770) / (4.575*1273)) = -27.9483
(참고 : 4.575 = ?, R = 1.987Cal/(mole·K), lnM = 2.302*logM)
PO2 = 1.13 *10^(-23) atm
(1)과 (2)식으로 부터
<SiO2> + <C> = <SiC> + (O2) --------------------------------- (5) 유도되며 △G˚는
△G˚ = 201600-1.3T*log*T - 35.82*T
= 150860 (at 1273K)
= RTlnPO2
logPO2 = -{(150860) / (4.575*1273)} = -25.9033
PO2 = 1.25*10^(-26) atm
SiO2가 C에 의해 환원되어 SiC가 될때의 평형분압 PO2(1.25*10^-26)은
SiO2가 Si로 환원되는데 필요한 PO2(1.13*10^-23) 보다도 높은 PO2임을 알수 있다.
따라서, 1000℃에서
PO2 > 1.25*10^-26 SiO2가 안정
- 1.25* 10^-26 > PO2 > 1.13*10^-28 SiC가 안정
PO2 < 1.13*10^-28 Si가 안정함
그러나 고체<C>의 존재에서는 다음식의 반응을 고려해야 함
2(CO) + (O2) = 2(CO2) ---------------------(3)
(2CO) = (CO2) + <C> ---------------------(4)
(3)식에서
△G˚ = -135000 + 41.5*T = -82100 [Cal] (at 1273K)
= - RT*ln[P(CO2)^2 / {P(CO)^2 * P(O2)}]
P(CO2)^2 / {P(CO)^2 * P(O2)} = 1.26*10^14 ------------------(6)
(4)식에서
△G˚ = 40800 - 41.7*T = -12300 [Cal] (at 1273K)
= - RT*ln[P(CO2) / {P(CO)^2}]
P(CO2) / {P(CO)^2} = 129 ------------------(7)
계의
CO2, CO, O2의 평형분압은 동시에 식(1), (5), (3), (4)를 만족하는 관계에 있기 때문에
식(1)에서 구한 PO2를 식(6)에 대입하면,
P(CO2)^2 / P(CO)^2 = 1.26*10^14 * 1.13*10^-28 = 1.42*10^-14
P(CO2) / P(CO) = 1.19*10^-7 ------------------(8)
식(7), 식(8)로 부터 SiO2가 Si로 환원될 때, 평형분압 PCO2, PCO, PO2는
PCO2 = 9.22*10^-10 atm,
PCO = 1.10*10^-16 atm
PO2 = 1.13*10^-28 atm
식(5)의 PO2는 식(6)에 대입하면
P(CO2) / P(CO) = 1.25*10^-6 atm ------------------(9)
식(9), (7)로 부터 SiO2가 SiC로 탄화될 때의 평형 분압 PCO2, PCO, PO2는
PCO = 9.77*10^-9 atm,
PCO2 = 1.16*10^-15 atm
PO2 = 1.25*10^-26 atm
이다.
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